我國磷化銦領域獲重要技術突破 雲南鑫耀6英寸磷化銦單晶片量產在即

　　九峰山實驗室今日官微消息，九峰山實驗室近日在磷化銦（InP）材料領域取得重要技術突破，成功開發出6英寸磷化銦（InP）基PIN結構探測器和FP結構激光器的外延生長工藝，關鍵性能指標達到國際領先水平。這一成果也是國內首次在大尺寸磷化銦材料製備領域實現從核心裝備到關鍵材料的國產化協同應用。

　　作爲光通信、量子計算等領域的核心材料，磷化銦（InP）材料的產業化應用長期面臨大尺寸製備的技術瓶頸，業界主流停留在3英寸工藝階段，高昂的成本使其無法滿足下游產業應用的爆發式增長。而九峰山實驗室突破大尺寸外延均勻性控制難題，爲實現6英寸磷化銦（InP）光芯片的規模化製備打下基礎。九峰山實驗室本次聯合國內供應鏈實現全鏈路突破，對促進我國化合物半導體產業鏈協同發展有着重要影響。其中，九峰山實驗室本次技術突破中6英寸磷化銦（InP）襯底合作方雲南鑫耀的6英寸高品質磷化銦單晶片產業化關鍵技術已實現突破，量產在即。從股權結構來看，雲南鑫耀爲雲南鍺業(002428)子公司，主營半導體材料研發生產。